三、双极结型晶体管
1、BJT的分类
代表工艺、名称、代表类型
2、偏压与工作状态
各种偏压与所对应的工作状态、模拟电路和数字电路应用
3、少子浓度分布与能带图
各个区的少子浓度分布
均匀基区和缓变基区各种工作状态下的能带图画法
4、放大系数
放大电路的两种基本类型：共基极和共发射极
两种基本类型下的直流短路电流放大系数和静态电流放大系数的定义及其计算
两类放大系数间的关系及其典型范围
5、基区输运系数
基区输运系数的定义及近似计算公式
6、基区渡越时间
基区渡越时间的定义及其计算公式
计算公式中各表达式的物理意义
7、发射结注入效率
发射结注入效率的定义及其计算公式
8、缓变基区晶体管的电流放大系数
自建场因子（基区漂移系数）的概念
缓变基区晶体管的基区输运系数、基区渡越时间、发射结注入效率、电流放大系数与均匀基区大致相同，注意区分即可
9、小电流时放大系数的下降
解释产生该现象的原因
10、发射区重掺杂效应
解释其现象、原因及减轻措施
11、BJT的直流电流电压方程
共基极和共发射极的直流电流电压方程
倒向晶体管的概念
倒向晶体管放大系数比正向晶体管小的多的原因
倒向晶体管和正向晶体管的互易关系
12、BJT的直流输出特性
熟悉集电极电流的推导
共基极和共发射极输出特性图
13、基区宽度调变效应
厄尔利效应产生的现象
厄尔利电压的定义及其计算
减小厄尔利效应的方法
14、BJT反向特性
浮空电势的概念
三种反向电流的定义与测量及他们之间的相互关系（物理图像）
共基极和共发射极接法的雪崩击穿电压的定义及测量
发射结击穿电压
15、基区穿通效应
基区穿通电压的计算
基区穿通效应对BJT反向特性的影响
16、基极电阻
基极电阻的定义
基极电阻的主要组成
方块电阻的定义及其计算
17、大注入效应
稍微了解，基本同PN结
大注入效应对电流放大系数的影响
18、基区扩展效应
基区扩展（Kirk）效应的定义
基区扩展效应对电流放大系数的影响
19、基区输运系数与频率的关系
渡越时间的三个作用
基区输运系数的准确表达式（包括缓变基区）
20、四个主要时间常数
发射结势垒电容充放电时间常数（影响注入效率）
发射结扩散电容充放电时间常数（基区渡越时间，影响基区输运系数）
集电结耗尽区延迟时间
集电结势垒电容经集电区充放电的时间常数
理解定义及物理意义
21、晶体管电流放大系数与频率的关系
共基极和共发射极高频小信号下短路电流放大系数及其截止频率
截止频率的定义
22、高频晶体管特征频率的定义、计算与测量
23、高频小信号电流电压方程
共基极和共射极高频小信号下的电流电压方程，理解公式中各符号意义及其表达式小信号等效电路示意图
24、高频晶体管最大功率增益与最高震荡频率
最大功率增益的定义及计算
高频优值的定义及计算
最高震荡频率的定义及计算
理解的基础上记住公式为主，不要求推导
25、影响特征频率与功率增益的因素
对高频晶体管结构的基本要求：浅结、细线条、无源基区重掺杂、N+沉底上生长N-外延层
第三部分的知识点比较繁多而且是考试重点，在理解内容的基础上多总结，对比各个知识点总结出规律，得出相关结论。